GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
标准编号：GB/T 24581-2009
标准名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
英文名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
中国标准分类号（CCS）
H80
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会
起草人
梁洪、过惠芬、吴道荣
起草单位
四川新光硅业科技有限责任公司
适应范围
本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10