GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
标准编号：GB/T 42905-2023
标准名称：碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
英文名称：Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
中国标准分类号（CCS）
H21
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会
起草人
钮应喜、刘敏、丁雄杰、吴会旺、李京波、张会娟、雷浩东、闫果果、袁松、赵丽霞、仇光寅、李素青、赵跃、彭铁坤
起草单位
安徽长飞先进半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽芯乐半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所
适应范围
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。