GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
标准编号：GB/T 43894.1-2024
标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
英文名称：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
中国标准分类号（CCS）
H21
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2024-04-25
实施日期
2024-11-01
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会
起草人
王玥、朱晓彤、徐新华、徐国科、陈海婷、丁雄杰、孙燕、宁永铎、李春阳、张海英、郭正江
起草单位
山东有研半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、中环领先半导体材料有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司
适应范围
本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。
本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI订片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。