GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
标准编号：GB/T 43493.1-2023
标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
英文名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
中国标准分类号（CCS）
L90
国际标准分类号（ICS）
31.080.99
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会
起草人
房玉龙、芦伟立、张红岩、王健、李振廷、张建锋、刘立娜、钮应喜、刘薇、杨玉聪、姚玉、高东兴、夏俊杰、周少丰、李佳、张冉冉、李丽霞、殷源、徐晨、杨青、金向军、丁雄杰、魏汝省、吴会旺、王辉、陆敏、郭世平
起草单位
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、浙江大学、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、广州弘高科技股份有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、中微半导体（上海）有限公司
适应范围
本文件给出了4H-SiC(碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT))图像等无损检测方法进行识别。