T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
标准编号：T/IAWBS 007-2018
标准名称：4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance
中国标准分类号（CCS）
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2018-12-06
实施日期
2018-12-17
团体名称
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草人
张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、 陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限 公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公 司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所
适应范围
本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺
杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。
杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。